Samsung продемонстрировала модуль DDR5 на 512 гигабайт

35
Заводы Samsung полностью перешли на возобновляемую энергию

Samsung продемонстрировала модуль памяти DDR5 объемом в 512 гигабайт. По сличению с DDR4 инженерам удалось вдвое повысить скорость, сразу снизив энергопотребление на 13%.

Память изготовлена на базе техпроцесса High-K Metal Gate, она обеспечивает пропускную способность до 7200 мегабит в секунду. В Samsung полагают, что такие модули найдут применение в суперкомпьютерах и системах, работающих с машинным обучением.

В работе над новой памятью принимали участие инженеры Intel: модуль, показанный Samsung, совместим с новым поколением серверных процессоров Intel Xeon под кодовым именем Sapphire Rapids.

На 512-гигабайтном модуле используются чипы памяти, изготовленные с помощью технологии сквозного прохождения через кристалл, впервые использованной в 2014 году. Всего используется 40 чипов памяти по 12.8 гигабайта на каждом.

ОСТАВЬТЕ ОТВЕТ

Please enter your comment!
Please enter your name here